磁控濺射鍍高純镥是一種先進(jìn)的物理氣相沉積（PVD）技術(shù)，利用磁控濺射原理，在真空環(huán)境下將高純度的镥（Lu）靶材原子濺射并沉積到基材表面，形成一層均勻致密的镥薄膜。

一、技術(shù)原理

磁控濺射：磁控濺射屬于輝光放電范疇的技術(shù)，利用陰極濺射原理進(jìn)行鍍膜。在真空環(huán)境中，惰性氣體（通常是氬氣）被引入反應(yīng)腔內(nèi)。當(dāng)高壓電場(chǎng)作用于氣體時(shí)，氬氣分子被電離形成等離子體。等離子體中的高能氬離子在電場(chǎng)的加速下撞擊镥靶材表面，導(dǎo)致靶材原子濺射出來(lái)。濺射出的镥原子隨后沉積在基材上，逐漸形成所需的薄膜。

磁場(chǎng)的作用：通過(guò)在靶材附近施加正交電磁場(chǎng)，可以增加電子的有效路徑長(zhǎng)度，從而提高等離子體的密度和濺射效率。正交電磁場(chǎng)的引入使得電子在靶材附近做擺線(xiàn)運(yùn)動(dòng)，增加了它們與氣體分子碰撞的概率，從而提高了濺射過(guò)程的效率。

二、高純镥的特性

镥（Lu）是一種稀土金屬，在自然界中較為稀有。其特性如下：

• 物理特性：純镥是一種銀白色金屬，具有良好的延展性和塑性。它的熔點(diǎn)相對(duì)較高，約為1650°C，密度較大（約為9.84 g/cm3）。
• 化學(xué)特性：镥化學(xué)性質(zhì)較活潑，容易與許多非金屬元素形成穩(wěn)定的化合物。雖然在空氣中相對(duì)穩(wěn)定，但在高溫下會(huì)與氧氣反應(yīng)生成氧化物。
• 應(yīng)用特性：镥因其特殊性質(zhì)在光學(xué)、電子、醫(yī)療領(lǐng)域具有重要應(yīng)用。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

磁控濺射鍍高純镥技術(shù)在多個(gè)領(lǐng)域中具有廣泛應(yīng)用：

• 光學(xué)領(lǐng)域：高純镥薄膜可用作光學(xué)鏡片或?yàn)V光片的材料，特別是在激光技術(shù)中，镥薄膜的引入有助于改善光學(xué)性能。
• 電子領(lǐng)域：在半導(dǎo)體器件、微電子領(lǐng)域，镥薄膜可作為特殊材料，用于增強(qiáng)器件的性能。例如，作為摻雜源或特殊電極材料，以達(dá)到優(yōu)化器件電學(xué)性能的目的。
• 醫(yī)療領(lǐng)域：镥被用于醫(yī)用材料，如镥177被用于治療某些癌癥的放射性同位素載體。
• 磁性材料：自然界中的镥分為多種同位素，有的具有磁性，因此鑭系元素中的一些镥同位素可用于制備特殊磁性材料。