磁控濺射低溫沉積ITO薄膜是一種制備透明導電薄膜的方法。其中，ITO是指氧化銦錫（Indium Tin Oxide）。

該方法利用磁控濺射技術將ITO (氧化鋼錫)靶材中的原子濺射到基底表面上，形成薄膜。低溫沉積是指在較低的溫度下進行沉積，通常在室溫下或稍高溫度下進行。

    磁控濺射是一種利用磁場控制離子軌跡的物理氣相沉積技術，可以制備高質量的薄膜。在這種方法中，金屬銦和錫靶材被置于真空腔室中，并通過電弧放電或射頻電源的激發(fā)，產(chǎn)生高能離子束。這些離子束撞擊靶材表面，將靶材材料濺射出來，并沉積在基底表面形成薄膜。

    該技術通過使用磁控濺射設備將ITO靶材進行濺射，同時通過控制溫度、氣壓、與體類型和流量等參數(shù)，可以在基板上制備出具有所需性能的ITO薄膜。

    其中，低溫沉積技術是一種新型的ITO薄膜制備方法，主要是利用高功率脈沖電源快速提高ITO靶材的溫度，從而實現(xiàn)在較低的襯底溫度下制備ITO薄膜。這種方法可以避免熱量對襯底的影影響，同時可實現(xiàn)對薄膜質量和性能的準確控制。

    因此，磁控濺射低溫沉積ITO薄膜技術具有制備ITO薄膜的簡單、高效、可控性強等優(yōu)點，廣泛應用于觸摸屏、液晶面板等電器設備的制造中。