基本原理是吸收如何在材料表面的電磁波，并通過材料內(nèi)部磁滯損耗或介電損耗將電磁波能量轉(zhuǎn)換成其他形式的能量，并使電磁波因干涉而消失，從而損耗掉探測雷達波的電磁能量，破壞探測雷達回波信號的完整性，降低雷達發(fā)現(xiàn)目標的概率。
高性能吸波材料滿足一下要求：材料應滿足阻抗匹配特性來減少電磁波表面的反射，入射的電磁波并盡可能全波被吸收劑衰變。目前常見的吸波材料有鐵氧體、SiC陶瓷和Si3N?4陶瓷等。下面先進院科技將簡要和大家分享一下最近的吸波材料研究情況。

鋇鐵氧體 采用共沉淀法合成了具有超磁性的BaFe12O19/NiFe2O4納米顆粒。生成的前驅(qū)體在Ni氣氛下熱處理800°C，1000°C和1200°C。這種工藝得到的顆粒大小在20-22納米的范圍內(nèi)，呈球形。此外，這種球形納米顆粒在高溫下呈六角形并探討了在X波段的電磁吸波性能。

圖文介紹

1. BaFe12O19/NiFe2O4納米顆粒的SEM圖像。

（a）“合成”的顆粒；

（b）在800°C處理；

（c）1000°C處理；

（d）1200°C處理。

在“合成”條件下，觀察到尺寸為30 - 35nm球形形貌的納米顆粒。隨著熱處理溫度的升高，大部分納米顆粒會慢慢消失，少數(shù)的納米顆粒會吸收較小的顆粒使體積膨脹。在1200°C，BaFe12O19/NiFe2O4納米顆粒(大小的范圍85 - 95 nm)有六角板和錐體形狀。

2.溫度對BaFe12O19/NiFe2O4納米晶體的磁滯回路的影響：

3.溫度對BaFe12O19/NiFe2O4納米晶體的 反射率的影響：

結(jié)論：采用共沉淀法成功合成了具有超磁性的BaFe12O19/NiFe2O4均勻球形納米顆粒(30 - 35nm)。在1200°C熱處理后得到六角板形狀的納米顆粒(85 - 95 nm)具有較高的飽和磁化強度為55.188 emu/gm，且在11.79 GHz時獲得更大反射率為-27.17 dB。

SiC陶瓷 SiC陶瓷的低頻介電特性表明，SiC被SiO2表層覆蓋，導致了兩種熱激活弛緩。低頻率(高溫度)弛豫是由表面層效應引起的一種Maxwell-Wagner弛豫。高頻率(低溫度)松弛被認為是由表面層的氧空位擴散到樣品的內(nèi)部
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